Name

InBi

性質分類

Electrical   properties

拓撲絕緣體

Topological Insulators
禁帶寬度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation

中

Medium

Degtyareva, V. F., M. Winzenick, and W. B. Holzapfel. "Crystal structure of InBi under pressure up to 75 GPa." Physical Review B 57.9 (1998): 4975.

Akg?z, Y. C., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "The elastic behaviour of InBi single crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 34.2 (1973): 141-149.

Bhatt, V. P., and C. F. Desai. "Temperature dependence of vickers microhardness and creep of InBi single crystals." Bulletin of Materials Science 4.1 (1982): 23-28.